Введение
1. Общие сведения о диодах
2. Строение и принцип работы
3. Характеристика диода Ганна
4. Влияние внешней цепи
5. Основные параметры диодов Ганна
6. СВЧ генератор на диоде Ганна
Общая характеристика диодов СВЧ на эффекте Ганна
7. Режимы работы диодов Ганна
7.1. Пролетный режим
7.2. Режим с задержкой образования домена.
7.3. Режим с гашением (подавлением домена)
7.4. Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ)
7.5. Гибридные режимы работы
7.6. Режим отрицательной проводимости
6. Применение диода Ганна
7. Устройство генераторов на диоде Ганна (ГДГ)
7.1. Основные характеристики ГДГ
7.2. Работа генератора на основе диода Ганна
8. Эквивалентные схемы генераторов на диодах Ганна
Заключение
Список литературы
Эффе́кт Га́нна — явление возникновения осцилляций тока (~ 109—1010 Гц) в однородном многодолинном полупроводнике при приложении к нему сильного электрического поля. Впервые этот эффект наблюдался Джоном Ганном в 1963 г. на арсениде галлия, затем явление осцилляций тока было обнаружено в фосфиде индия, фосфиде галлия и ряде других полупроводниковых соединений [1].
Эффект Ганна может возникнуть в полупроводнике, в котором в зоне Бриллюэна имеется более одного минимума энергии. На рис.1 показаны основной минимум, которым определяется ширина запрещённой зоны, и побочный минимум, смещённый на конечный волновой вектор от нуля зоны, имеющий большее расстояние до потолка валентной зоны, чем основной минимум, как например в GaAs, InAs.
Рис. 1. Зонная структура GaAs в направлении 100
В полупроводниках, зона проводимости которых имеет более одного минимума энергии, электрон с волновым вектором / соответствующим одному из минимумов, при рассеянии может оказаться в состоянии с волновым вектором / принадлежащим другому минимуму. В результате такого рассеяния будет иметь место переброс электронов из одного минимума зоны проводимости в другой. Такой вид рассеяния получил название междолинного.
