ВВЕДЕНИЕ
1 АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ И ВЫБОР КОНСТРУКТИВНО-ТХНОЛОГИЧЕСКОГО ВАРИАНТА ИСПОЛНЕНИЯ МИКРОСХЕМЫ
2 КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ
2.1 Конструктивно-технологические особенности
2.2 Исходные данные для расчета
2.3 Выбор материалов и определение оптимального значения R□ для группы ТПР
2.4 Определение технологического допуска
2.5 Определение геометрических размеров ТПР
2.6 Учет сопротивления контактных переходов
3 КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
3.1Конструктивно-технологические особенности
3.2 Исходные данные для расчета
3.3 Выбор материала диэлектрика
3.4 Определение технологического допуска
3.5 Определение удельной емкости ТПК
4 ВЫБОР АКТИВНЫХ КОМПОНЕНТОВ
5 РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ И КОНСТРУКЦИИ МИКРОСХЕМЫ
5.1 Составление коммутационной схемы
6 ВЫБОР КОРПУСА ДЛЯ МИКРОСХЕМЫ
7 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМЫ
8 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС СБОРКИ МИКРОСХЕМЫ И УСТАНОВКИ ЕЕ В КОРПУС
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
В настоящее время микроэлектроника является наиболее развивающейся наукой. Современная аппаратура может содержать в себе тысячи, или даже миллионы элементов. Так же повышаются требования к быстродействию схем. По этим причинам появляется тенденция к микроминиатюризации. На сегодняшний день микроминиатюризация электронной базы достигла границ физических возможностей. В соответствии с ГОСТ 18682 – 73 «Микросхемы интегральные. Классификация и система условных обозначений» принято разделять микросхемы на три группы:
- полупроводниковые;
- гибридные;
- пленочные;
Полупроводниковые интегральные схемы характеризуются высокой надежностью, малыми массой и габаритами, возможностью применения групповых методов производства на всех стадиях производства. Современная технология позволяет формировать сотни тысяч и более элементов на поверхности полупроводниковых кристаллов. Основным недостатком интегральных микросхем на основе полупроводниковых кристаллов является сложность получения резисторов и конденсаторов, что при неограниченных возможностях усложнения электрической схемы не столь критично – за счет некоторого усложнения схемы возможно решить возникающие проблемы. Основной недостаток полупроводниковой технологии – сверхвысокая стоимость единичного производства.
Пленочная интегральная микросхема – это интегральная микросхема, все элементы в межэлементные соединения которой выполнены в виде плёнок. Пленочная технология позволяет изготавливать высокой мощности, точности и высоких номиналов пассивных элементов, нельзя изготовить по данной технологии активные элементы. Поэтому область применения данной технологии невелика.
Гибридная интегральная микросхема (ГИС) – это интегральная схема, в которой применяются пленочные пассивные элементы и бескорпусные полупроводниковые компоненты. Широкое применение ГИС обусловлено следующими их преимуществами:
- простота изготовления;
- низкая стоимость;
- малая трудоёмкость операций;
- сравнительно невысокие первоначальные капитальные затраты;
- малая длительность производственного цикла;
- возможность изготовления надежных элементов с достаточно широким диапазоном номиналов и высокими рабочими характеристиками;
- возможность применения микросхем с повышенным уровнем рассеиваемой мощности.
Метод гибридизации открывает широкие возможности комплексного использования тонко- и толстопленочных элементов.
