Курсовая Разработка интегрального устройства, вариант 18 СибГУТИ

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхем.

Исходные данные:

1. Напряжение источника питания U_ПИТ = + 15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 13.
3. Входное сопротивление: R_ВХ = 2,7 МОм.
4. Выходное сопротивление: R_Н = 2 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение: U_НОМ = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота: f_Н = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: F_В = 3,4 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: М_Н = 3 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: М_В = 3 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: С (симметричный).

ВВЕДЕНИЕ

Аналоговыми называются устройства, которые преобразуют сигналы непрерывные во времени. К основным классам аналоговых устройств относятся: усилители, аналоговые фильтры и генераторы, электронные и автоматические регуляторы, аналоговые перемножители напряжений, преобразователи, вторичные источники питания.

В зависимости от конкретной области применения аналоговые устройства подразделяются на измерительные, телевизионные, радиоприемные, телефонные, радиовещательные и др. Дополнительными признаками для классификации являются диапазон рабочих частот и потребляемая мощность. В зависимости от используемой элементной базы аналоговые устройства подразделяются на электровакуумные, транзисторные и интегральные. Наиболее перспективными являются интегральные аналоговые устройства, которые обладают высокой надежностью, малой массой, объемом, малым потреблением электроэнергии, экономичностью.

В данной курсовой работе разрабатывается аналоговое устройство – усилитель на основе гибридной интегральной микросхемы (ГИС).

Электронный усилитель – устройство, предназначенное для увеличения мощности электрического сигнала с сохранением его формы. Усилители являются наиболее распространенными устройства в радиоэлектронной аппаратуре. Реализация усилителя в виде микросхемы актуальна. По технологии изготовления ИМС различают два направления: полупроводниковые и гибридные ИМС.

ГИС содержит пленочные пассивные элементы и навесные активные элементы и имеет ряд преимуществ: возможность получения любых значений пассивных элементов, малую температурную зависимость параметров, невысокими затратами при организации производства, простотой изготовления плат. Поэтому проектировать усилитель целесообразнее на ГИС.

1. А. Н. Игнатов. Разработка интегрального аналогового устройства. Методические указания к курсовой работе. – Новосибирск, СибГУТИ, 2006. – 36 стр.
2. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск; СибГУТИ, 2005.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980.