Техническое задание
Исходные данные
Введение
1.Разработка структурной схемы
2.Разработка принципиальной схемы
3.Разработка интегральной микросхемы
3.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов
3.2.Разработка топологии
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы
Заключение
Список литературы
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 9.
3. Входное сопротивление: RВХ = 1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 10 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 20 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 3 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 3 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: С (симметричный).
1. Игнатов А. Н., Фадеева Н. Е. Разработка интегрального аналогового устройства. Методические указания к курсовой работе. – Новосибирск, СибГУТИ, 2006. – 36 с.
2. Пельман Б.Л. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. – М.: Радио и связь, 1981.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980.
4. Цыкина А. В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.: Связь, 1976.