Курсовая Разработка интегрального аналогового устройства, вариант 6 СибГУТИ

Техническое задание

Введение

1. Разработка структурной схемы

2. Разработка принципиальной схемы

3. Разработка интегральной микросхемы

3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов

3.2. Разработка топологии.

3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.

Заключение

Список литературы

Техническое задание

Цели работы:

1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов.

2. Осуществить правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.

3. Провести электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.

4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.

Исходные данные:

Напряжение источника питания: Uпит = +15 В.

Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 12.

Входное сопротивление: Rвх = 3,3 МОм.

Сопротивление нагрузки: Rн = 0,6 кОм.

Номинальное входное напряжение: Uном = 2 В.

Нижняя рабочая частота (НРЧ): fн = 20 Гц.

Верхняя рабочая частота (ВРЧ): fв = 15 кГц.

Коэффициент частотных искажений на НРЧ: Мн =1 дБ.

Коэффициент частотных искажений на ВРЧ: Мв =1 дБ.

Тип входа – Н (несимметричный).

Тип выхода – С (симметричный).

1. Безладнов Н.Л. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот. – Москва.: Связь, 1978.

2. Игнатов А.Н. Методическое указание «Разработка интегрального аналогового устройства». – Новосибирск, 1999.

3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана. – Москва.: Радио и связь, 1981.

4. Хоровиц П., Хила Ц. Искусство схемотехники. – Москва.: Мир, 1993.

5. Цыкина А.В. Электронные усилители. – Москва.: Радио и связь, 1982.